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弁護士・弁理士

片山 健一
Kenichi KATAYAMA

弁理士(提携)

国内の大手化学メーカーにて約16年間にわたり電子材料に関する研究開発に従事し、その間には、通産省工業技術院電子技術総合研究所および米国ノースカロライナ州立大学工学部物質工学科において客員研究員としての研究を行い、1993年7月に大阪大学より博士(工学)の学位を授与される。2000年の弁理士登録後は、都内特許事務所および法律事務所に在籍し、国内外の特許出願業務はもとより、係争系(審判・訴訟)の案件を多数手掛ける。また、筑波大学大学院ビジネス科学研究科企業法学専攻コースでの競争法についての研究経験も有している(2010年 博士課程単位取得退学)。

主な取扱い分野 ・特許(半導体デバイス、表示装置、光電子工学、光学、磁気記録技術、セラミックス、物質工学、分析評価技術、ソフトウェア等)
・係争事件(審判、訴訟)
略歴 1984年 東北大学理学研究科博士課程前期物理学専攻 修了
1984年 昭和電工株式会社 入社
1984-1986年 工業技術院電子技術総合研究所電子デバイス研究室 客員研究員
1990-1992年 米国ノースカロライナ州立大学工学部物質工学科 客員研究員
2000年 弁理士登録
2000年 TMI総合法律事務所 入所
2001年 谷・阿部特許事務所 入所
2004年 大野総合法律事務所 入所
2019年 坂本国際特許事務所 副所長就任
2020年 ネクセル総合法律事務所 提携弁理士就任
執筆・講演 ・K. Katayama
“Characterization of Oxygen Precipitates in CZ-Silicon Crystals by Light-Scattering Tomography” Jpn. J. Appl. Phys. 29 (1990) L198
・K. Katayama, Y. Kirino and F. Shimura
“Non-contact Characterization for Energy Level Related to Silicon Wafer Surface” in “Defects in Silicon II” (Eds. W. M. Bullis, U. Goesele and F. Shimura, The Electrochemical Society, Pennington, NJ, 1991) pp.89
・K. Katayama and F. Shimura
“LM-DLTS Measurements for CZ Silicon Wafers with Different [Oi], [Cs] and Thermal History” in “Defects in Silicon II”(Eds. W. M. Bullis, U. Goesele and F. Shimura, The Electrochemical Society, Pennington, NJ, 1991) pp.97
・K. Katayama, Y. Kirino and F. Shimura
“Effects of Ultraviolet Light Irradiation on Non-contact Microwave Lifetime Measurement” Jpn. J. Appl. Phys. 30B (1991) L1907
・J. Partanen, T. Tuomi and K. Katayama
“Comparison of Defect Images and Density Between Synchrotron Section Topography and Infrared Light Scattering Microscopy in Heat Treated Czochralski Silicon Crystals” J. Electrochem. Soc. 139 (1992) 599
・K. Katayama and F. Shimura
“Non-contact Defect Characterization for CZ Silicon Crystals with FT-IR, LM-Lifetime, LM-DLTS and Light Scattering Tomography” in “Diagnostic Techniques for Semiconductor Materials and Devices” (Eds. J. Benton, G. Maracas and P. Rai-Choudhury, The Electrochemical Society, Pennington, NJ, 1992) pp.184
・K. Katayama and F. Shimura
“Non-contact Characterization for Ultraviolet Light Irradiation Effect on Si-SiO2 Interface” Jpn. J. Appl. Phys. 8A (1992) L1001
・A. Buczkowski, K. Katayama, G. A. Rozgonyi and F. Shimura
“Non-contact Mobility Measurement with a Laser/Microwave Photoconductance Technique: Temperature Dependence” Appl. Phys. Lett. 60 (1992) 1229
・L. Zhong, A. Buczkowski, K. Katayama and F. Shimura
“Transient Recovery of Minority-Carrier Lifetime in Silicon After Ultraviolet Irradiation” Appl. Phys. Lett. 61 (1992) 931
・K. Katayama and F. Shimura
“Noncontact Characterization for Ultraviolet Light Irradiation on Si-SiO2 Interface” in “Defects Engineering in Semiconductor Growth, Processing and Device Technology” (Eds. S. Ashok, J. Chevallier, K. Sumino and E. Weber, Materials Research Society, Pittsburgh, 1992)
・K. Katayama, A. Agawal, Z. J. Radzimski and F. Shimura
“Investigation on Defects in CZ Silicon with High-Sensitive Laser/Microwave Photoconductance Technique” Jpn. J. Appl. Phys. 32 (1993) 298
・K. Katayama and F. Shimura
“Noncontact Characterization for Carrier Recombination Center Related to Si-SiO2 Interface” Jpn. J. Appl. Phys. 32 (1993) L395
・2013 JPAA IP Practitioners Seminar in Bangkok, Thailand 講師
・2015 JPAA IP Practitioners Seminar in Jakarta, Indonesia 講師
・2017 JPAA IP Practitioners Seminar in Hanoi, Vietnam 講師
活動 2002年度 日本弁理士会国際活動委員会 委員
2003-2004年度 日本弁理士会研修所 運営委員
2008年度 産業競争力推進委員会 委員
2012-2020年度 日本弁理士会国際活動センター センター員
2013年度日本弁理士会欧州訪問団メンバー
2014年”Symposium on the topic of the practice around Art. 123(2) EPC”日本弁理士会代表
2015年度日本弁理士会欧州訪問団リーダー
使用言語 日本語・英語