MEMBER
弁理士 パートナー
片山健一
KenichiKATAYAMA
弁理士 パートナー
片山健一
KenichiKATAYAMA
国内の大手化学メーカーにて約16年間にわたり電子材料に関する研究開発に従事し、その間には、通産省工業技術院電子技術総合研究所及び米国ノースカロライナ州立大学工学部物質工学科において客員研究員としての研究を行い、1993年7月に大阪大学より博士（工学）の学位を授与される。2000年の弁理士登録後は、都内特許事務所及び法律事務所に在籍し、国内外の特許出願業務はもとより、係争系（審判・訴訟）の案件を多数手掛ける。また、筑波大学大学院ビジネス科学研究科企業法学専攻コースでの競争法についての研究経験も有している（2010年 博士課程単位取得退学）。Profile
プロフィール
- 主な取扱い分野
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・特許（半導体デバイス、表示装置、光電子工学、光学、磁気記録技術、セラミックス、物質工学、分析評価技術、ソフトウェア等）
・係争事件（審判、訴訟）
- 略歴
-
- 1984年
- 東北大学理学研究科博士課程前期物理学専攻 修了
- 1984年
- 昭和電工株式会社 入社
- 1984〜1986年
- 工業技術院電子技術総合研究所電子デバイス研究室 客員研究員
- 1990〜1992年
- 米国ノースカロライナ州立大学工学部物質工学科 客員研究員
- 2000年
- 弁理士登録
- 2000年
- ＴＭＩ総合法律事務所 入所
- 2001年
- 谷・阿部特許事務所 入所
- 2004年
- 大野総合法律事務所 入所
- 2019年
- 坂本国際特許事務所 副所長就任
- 2020年
- ネクセル総合法律事務所 入所
- 執筆・講演
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・K. Katayama
“Characterization of Oxygen Precipitates in CZ-Silicon Crystals by Light-Scattering Tomography” Jpn. J. Appl. Phys. 29 (1990) L198
・K. Katayama, Y. Kirino & F. Shimura
“Non-contact Characterization for Energy Level Related to Silicon Wafer Surface” in “Defects in Silicon II” (Eds. W. M. Bullis, U. Goesele & F. Shimura, The Electrochemical Society, Pennington, NJ, 1991) pp.89
・K. Katayama & F. Shimura
“LM-DLTS Measurements for CZ Silicon Wafers with Different [Oi], [Cs] & Thermal History” in “Defects in Silicon II”(Eds. W. M. Bullis, U. Goesele & F. Shimura, The Electrochemical Society, Pennington, NJ, 1991) pp.97
・K. Katayama, Y. Kirino & F. Shimura
“Effects of Ultraviolet Light Irradiation on Non-contact Microwave Lifetime Measurement” Jpn. J. Appl. Phys. 30B (1991) L1907
・J. Partanen, T. Tuomi & K. Katayama
“Comparison of Defect Images & Density Between Synchrotron Section
Topography & Infrared Light Scattering Microscopy in Heat Treated Czochralski Silicon Crystals” J. Electrochem. Soc. 139 (1992) 599
・K. Katayama & F. Shimura
“Non-contact Defect Characterization for CZ Silicon Crystals with FT-IR, LM-Lifetime, LM-DLTS & Light Scattering Tomography” in “Diagnostic Techniques for Semiconductor Materials & Devices” (Eds. J. Benton, G. Maracas & P. Rai-Choudhury, The Electrochemical Society, Pennington, NJ, 1992) pp.184
・K. Katayama & F. Shimura
“Non-contact Characterization for Ultraviolet Light Irradiation Effect on Si-SiO2 Interface” Jpn. J. Appl. Phys. 8A (1992) L1001
・A. Buczkowski, K. Katayama, G. A. Rozgonyi & F. Shimura
“Non-contact Mobility Measurement with a Laser/Microwave Photoconductance Technique: Temperature Dependence” Appl. Phys. Lett. 60 (1992) 1229
・L. Zhong, A. Buczkowski, K. Katayama & F. Shimura
“Transient Recovery of Minority-Carrier Lifetime in Silicon After Ultraviolet Irradiation” Appl. Phys. Lett. 61 (1992) 931
・K. Katayama & F. Shimura
“Noncontact Characterization for Ultraviolet Light Irradiation on Si-SiO2 Interface” in “Defects Engineering in Semiconductor Growth, Processing & Device Technology” (Eds. S. Ashok, J. Chevallier, K. Sumino & E. Weber, Materials Research Society, Pittsburgh, 1992)
・K. Katayama, A. Agawal, Z. J. Radzimski & F. Shimura
“Investigation on Defects in CZ Silicon with High-Sensitive Laser/Microwave Photoconductance Technique” Jpn. J. Appl. Phys. 32 (1993) 298
・K. Katayama & F. Shimura
“Noncontact Characterization for Carrier Recombination Center Related to Si-SiO2 Interface” Jpn. J. Appl. Phys. 32 (1993) L395
・2013 JPAA IP Practitioners Seminar in Bangkok, Thailand 講師
・2015 JPAA IP Practitioners Seminar in Jakarta, Indonesia 講師
・2017 JPAA IP Practitioners Seminar in Hanoi, Vietnam 講師
- 活動
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- 2002年
- 日本弁理士会国際活動委員会 委員
- 2003〜2004年
- 日本弁理士会研修所 運営委員
- 2008年
- 産業競争力推進委員会 委員
- 2012〜2020年
- 日本弁理士会国際活動センター センター員
- 2013年
- 日本弁理士会欧州訪問団メンバー
- 2014年
- ”Symposium on the topic of the practice around Art. 123(2) EPC”日本弁理士会代表
- 2015年
- 日本弁理士会欧州訪問団リーダー
- 使用言語
- 日本語・英語